Transistor à effet de champ puissant IRFZ44N

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J'ai pensé à faire une décharge intelligente pour les piles AA en utilisant une carte Arduino. Par conséquent, j'avais besoin de rompre le circuit de décharge lorsqu'une certaine tension sur la batterie était atteinte. Après avoir lu des livres et des articles, j'ai déterminé que pour cette tâche, il existe deux options pour résoudre le problème: la première consiste à couper le circuit de décharge à l'aide d'un relais contrôlé par 5 volts; le second - utilisant un puissant transistor à effet de champ MOSFET.

Schéma de désignation:

J'ai choisi le transistor à effet de champ à canal induit à canal induit IRFZ44N (MOSFET).
Documentation sur IRFZ44N - IRFZ44N_en.PDF

irfz44n_ru.pdf [980,43 Ko] (téléchargements: 366)
Voir le fichier en ligne:

Pour l'ouvrir (la réduction de la tension entre les bornes "source" et "drain" va fortement diminuer), il faut appliquer une tension à la borne "grille", qui est appelée "tension de seuil à la grille".
Pour le transistor IRFZ44N, la «tension de grille de grille» est normalisée de 2 volts à 4 volts.

À partir de la documentation (voir photo ci-dessus), nous pouvons déterminer quelle résistance le transistor aura entre la source et le drain à la tension de grille par rapport à la source de 4,5 Volts et la tension appliquée à la source et au drain (circuit de décharge). Sur le diagramme, nous voyons qu'à Uc = 4,5 V, Uc = 1,5 V, le courant à travers le transistor est Ic = 7 A. Maintenant, nous calculons la résistance entre les bornes source-drain en utilisant la loi d'Ohm: Ric = 1,5 / 7 = 0,214 ohms. D'après la documentation, nous savons que la résistance d'un transistor complètement ouvert est Rds (on) = 0,0175 ohms. Je vais décharger la batterie avec un courant ne dépassant pas 0,5 ampère. Nous déterminons quelle puissance sera libérée sur le transistor à un courant de 0,5 A: P = 0,5 * 0,5 * 0,214 = 0,0535 W. Je pense que le transistor chauffe légèrement.